今年下半年开始，存储市场因产品涨价走向复苏的趋势出现明显放缓，按预期将连续上涨一整年的DRAM（内存）、NAND Flash（闪存）芯片价格近期均有放缓甚至由涨转跌。
注意到市场需求依旧疲软，存储巨头开始酝酿减产以应对变化。据台湾电子时报10月29日报道，近期供应链传出，三星、铠侠拟于第四季对NAND进行减产，预计依照市场况状进行分阶段减产。
原本在经历过2022年、2023年连续两年的寒冬后，市场期望今年将是触底反弹的开始。但种种迹象表明，存储芯片市场真正的复苏并未到来。
此前，半导体机构TrendForce集邦咨询发布研报分析，2024年下半年原本属于存储行业旺季，但由于市场需求疲软，第四季度NAND Flash产品整体合约价（合约价是指在特定时间内，存储厂与大客户合同约定的用于交易存储芯片价格，可用来衡量供需行情变化）将下滑3%至8%。该产品从2023年第三季度至今价格一直连续上涨。
内存芯片也遇到了相似的情况。据TrendForce调查，2024年第三季之前，智能手机、PC等电子消费产品需求依旧疲软，虽然有AI服务器拉动HBM、DDR5等AI存储产品涨价，但整体需求低迷。第四季度DRAM整体平均价格估计上涨8%至13%，相较今年前三个季度的增速明显放缓。
行业也有观点认为，存储芯片今年的复苏不及市场预期。荷兰光刻机巨头ASML在本月发布的财报中指出。虽然有AI这样刺激增长的个别因素，但全球半导体市场从2022年、2023年的低谷中复苏的情况“远远低于预期”，逻辑芯片与存储芯片领域的大客户普遍十分谨慎，新增产能有限，仅有的增长来自于AI GPU、HBM与DDR5等AI产品。
面对市场需求低迷的行情，三星、铠侠此时选择减产是在“复制”去年的操作。
2022年下半年，存储芯片因市场供过于求出现历史级的价格下跌，DRAM、NAND价格腰斩，直接带崩芯片厂商的利润。又经历过长达将近半年的跌跌不休后，“存储三巨头”三星、美光、SK海力士都不愿“亏本卖芯片”，决心减产，等待客户库存消耗至正常水平后价格回涨调整。因为三巨头合计占全球95%以上的市场份额，它们的减产动作带动了存储行业的“去库存”。去年三季度，DRAM、NAND芯片价格也终于止住下跌，开始缓慢上涨。
据高盛的一份研究报告披露，三星2023年已将DRAM、NAND Flash芯片产量削减了20%至25%，其减产计划将一直执行到2024年第二季度，直至芯片业务彻底回归盈亏平衡。SK海力士、美光也都被曝光在内部设置了DRAM、NAND芯片价格止跌回升的“盈亏平衡红线”。
摩根士丹利去年曾做过大致估算，2023年一季度时，全球半导体供应链（包括制造商、分销商和客户）手上握有的芯片总库存预期可用258天。若以芯片厂减产与客户库存消耗的常规速度计算，到2023年底至2024年初，行业有望迎来拐点。
但从目前的情况来看，存储行业仍然需要更多的时间“去库存”，市场的强劲复苏也需要更多时间。
国内一位代理三星存储产品的销售人员也告诉界面新闻，今年上半年市场实际复苏情况并不明显，DRAM、NAND Flash等存储芯片产品仍然需要观望行情谨慎出货，客户采购时也都十分谨慎。行业内有些销售因为担心卖不出去也不敢大规模囤货，很多时候还需要“降价倒挂”（进货价格高于其销售价格）才能拿到订单。
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